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肖特基二極管
來源:作者:日期:2017-12-16 14:48:35點擊:8493次
肖特基二(Schottky)極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
 
中文名 外文名 發(fā)明人 簡稱
肖特基二極管 SchottkyBarrierDiode 肖特基博士 SBD
 
目錄
 
1、肖特基二極管的作用
2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)
3、肖特基二極管的原理
4、穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別
5、肖特基二極管的檢測
6、肖特基二極管的主要特點
7、肖特基二極管應(yīng)用
8、肖特基二極管的選用
9、肖特基二極管優(yōu)點
10、肖特基二極管缺點
 
 
肖特基二極管的作用:
肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管,是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,簡稱肖特基二極管。與普通二極管(多指用PN結(jié)形成的硅二極管)相比最顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航蹈?,僅0.4V左右。它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流較大。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管(比如開關(guān)電源次極整流二極管),續(xù)流二極管、保護二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。而普通二極管只能用在低頻整流場合,耐壓可以做得更高。
 
 
肖特基二極管的結(jié)構(gòu):
肖特基二極體是利用金屬-半導(dǎo)體接面作為肖特基勢壘,以產(chǎn)生整流的效果,和一般二極管中由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極體的導(dǎo)通電壓降較低,而且可以提高切換的速度。
肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。
 
肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式。
 
肖特基對管又有共陰(兩管的負極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負極)三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。
 
肖特基二極管的原理:
在金屬(例如鉛)和半導(dǎo)體(N型硅片)的接觸面上,用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是:開關(guān)速度非??欤悍聪蚧謴?fù)時間特別地短。因此,能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
肖特基二極管利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。它的主要特點是具有較低的正向壓降(0.3V至0.6V);另外它是多子參與導(dǎo)電,這就比少子器件有更快的反應(yīng)速度。肖特基二極管常用在門電路中作為三極管集電極的箝位二極管,以防止三極管因進入飽和狀態(tài)而降低開關(guān)速度。
 
穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別:
 
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?,只?.4v,反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通,起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。
穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀ǘ壒芤粯蛹s為0.7v,反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止,在達到臨界電壓的條件下會處于導(dǎo)通的狀態(tài),電壓也不再升高,所以用在重要元器件上,起到穩(wěn)壓作用。
 
肖特基二極管的檢測:
 
5.1.性能比較:
肖特基二極管現(xiàn)超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較??梢姡韪咚匍_關(guān)二極管的trr雖極低,但平均整流電流很小,不能作大電流整流用。
5.2.檢測方法:
檢測內(nèi)容包括:a.識別電極;b.檢查管子的單向?qū)щ娦?c.測正向?qū)航礦F;d.測量反向擊穿電壓VBR。
被測管為B82-004型肖特基管,共有三個管腳,將管腳按照正面(字面朝向人)從左至右順序編上序號①、②、③。選擇500型萬用表的R×1檔進行測量,全部數(shù)據(jù)整理如下:
第一,根據(jù)①—②、③—④間均可測出正向電阻,判定被測管為共陰對管,①、③腳為兩個陽極,②腳為公共陰極。
第二,因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆,而反向電阻為無窮大,故具有單向?qū)щ娦浴?/div>
第三,內(nèi)部兩只肖特基二極管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V,均低于手冊中給定的最大允許值VFM(0.55V)。
 
肖特基二極管的主要特點:
 
6.1.設(shè)計特點
該管在設(shè)計中采用了勢壘高度фB較低的金屬,并盡量減小理想因子П值。因為φB決定了伏安特性曲線的上升閾值,而П值決定了電流隨電壓上升的快慢。適當調(diào)整工藝,使之形成富硅硅化物的肖特基的勢壘接觸,以達到正向電壓閾值低、曲線起始上升快的目標。
6.2.結(jié)構(gòu)特點
該管設(shè)計和采用的零部件及組裝均符合GB7581《半導(dǎo)體分立器件外形尺寸》的標準要求,為減小封裝串聯(lián)電阻,降低正向壓降,盡量加大了引線與芯片的接觸面積。采用了寬“S”形彎曲觸須壓力接觸的鍍金上引線,增強了抗浪涌電流的沖擊能力。用美軍標準規(guī)定的DO-7玻殼封裝,軸向引線,殼體透明,具有體積小、重量輕、可靠性高的特點。
6.3..工藝與設(shè)備特點
形成富硅硅化物勢壘接觸的工藝技術(shù)是影響該管電參數(shù)性能及可靠性的關(guān)鍵所在。通過大量的優(yōu)化實驗,對濺射和退火等關(guān)鍵工藝的參數(shù)和條件進行了優(yōu)化,選出了最佳的工藝方案,以達到最佳勢壘金屬厚度和形成最佳表面,使管芯獲得最好的電參數(shù)性能及較高的成品率。
封裝前對芯片進行100%的鏡檢,剔除有缺陷的芯片,采用從美國進口的BTU鏈式燒結(jié)爐和LORLIN計算機測試系統(tǒng)與其他符合美軍標DO-7的封裝生產(chǎn)線,使用低溫燒結(jié),高純氮保護和不銹鋼夾具等,保證了環(huán)境的潔凈度和工藝的穩(wěn)定性,大大提高了產(chǎn)品的封裝成品率。
6.4..管理特點
該產(chǎn)品的設(shè)計制造按ISO9002標準和“七專”產(chǎn)品管理辦法進行生
產(chǎn)技術(shù)質(zhì)量管理。
 
肖特基二極管應(yīng)用:
7.1.由于該二極管的正向壓降低、功耗小、反向恢復(fù)快、轉(zhuǎn)換效率高,可應(yīng)用于通信設(shè)備、遙測系統(tǒng)及各種控制機器中作調(diào)制、解調(diào)、限制、邏輯、整流等部分;
7.2. 其大電流特性好、響應(yīng)快,可廣泛在開關(guān)、整流線路中直接替代2AK、2AP系列鍺二極管;C. 由于該型二極管承受反向脈沖能量沖擊及高溫特性好,該管可應(yīng)用在外界環(huán)境變化較大的場合中。
 
肖特基二極管的選用:
 
要根據(jù)開關(guān)電源所要輸出的電壓VO、電流IO、散熱情況、負載情況、安裝要求、所要求的溫升等確定所要選用的肖特基二極管種類。
在一般的設(shè)計中,我們要留出一定的余量。比如,VR只用到其額定值的80%以下(特殊情況下可控制到50%以下),IF用到其額定值的40%以下。
在單端反激(FLY-BACK)開關(guān)電源中,假定一產(chǎn)品:輸入電壓
 
VIMAX=350VDC,輸出電壓VO=5V,電流IO=1A。見圖1
圖1 單端反激開關(guān)電源
根據(jù)計算公式,要求整流二極管的反向電壓 VR、正向電流IF滿足下面的條件:
VR≥2VI×NS/NP
IF≥2IO/(1-θMAX),其中:NS/NP 變壓器次、初級匝比θMAX 最大占空比
假設(shè),NS/NP=1/20,θMAX=0.35,則VR≥2×350/20=35(V),IF≥2×1/(1-0.35)=3(A)
這樣,我們可以參考選用SR340或1N5822。
若產(chǎn)品為風扇冷卻,則管子可以把余量留小一些。
TO220、TO3P封裝的管子有全包封、半包封之分這要根據(jù)具體情況選用。
半包封管子的散熱優(yōu)于全包封的管子,但需注意其散熱器和中間管腳相通。
負載若為容性負載,建議IF再留出20%的余量。
注意功率肖特基二極管的散熱和安裝形式,要搞清楚產(chǎn)品為自然冷卻還是風扇冷卻,管子要安裝在易通風散熱的地方,以提高產(chǎn)品的可靠性。TO-220、TO-3P型的管子與散熱器之間要加導(dǎo)熱硅脂,使管子與散熱器之間接觸良好。
 
肖特基二極管優(yōu)點:
 
9.1.正向壓降低,約只有一般硅二極管的一半。在下向?qū)〞r由于正向電壓低消耗的二極管上的功耗也小。
9.2.反向恢復(fù)時間小,比超快速恢復(fù)管還要小得多。在高頻電路中除了正向?qū)ü耐膺€有較大的功耗就是開關(guān)功耗,反向恢復(fù)時間越小開關(guān)功耗也就越小。
 
肖特基二極管缺點:
 
肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大,實務(wù)設(shè)計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題,肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過目前肖特基二極體的技術(shù)也已有了進步,其反向偏壓的額定值最大可以到200V.
常見的肖特基二極管有MBR20200、MBR2045、MBR1045、MBR20100、MBR10100等等。肖特基(Schottky)二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時要全面考慮。